Beseitigen von Substratrauschen durch einen Elektrisch Isolierten Hochspannungs-E/o-Transistor
EP1474827
Art A1
10. November 2004
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1474827
- Aktenzeichen
- EP03705805
- Anmeldetag
- 16. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 10. November 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238H01L27/02H01L27/04H01L21/265H01L21/70
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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