Verfahren zur Bearbeitung von einem Nitrid-Halbleiterwafer
EP1475826
Art B1
20. Januar 2010
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., Sony Corporation, SONY CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1475826
- Aktenzeichen
- EP03024444
- Anmeldetag
- 23. Oktober 2003
- Veröffentlichung
- 20. Januar 2010
- Erteilung
- 20. Januar 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/302H01L21/306B24B37/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Sony Corporation
SONY CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
11.182 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Sony Group
Japanischer Technologie- und Unterhaltungskonzern mit Sitz in Tokio. Sony entwickelt Unterhaltungselektronik, Bildsensoren, Spielesysteme sowie Musik- und Filmangebote.
37.209 Patente in unserer Datenbank