Cvd-Verfahren und Einrichtung zur Ausbildung eines Siliziumhaltigen Isolationsfilms
EP1475828
Art A1
10. November 2004
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1475828
- Aktenzeichen
- EP03701067
- Anmeldetag
- 14. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 10. November 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/316H01L21/318C23C16/30C23C16/40C23C16/34C23C16/452C23C16/455
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO ELECTRON LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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Vertreten von
Grosse, Rainer
Stuttgart, Deutschland
405
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14
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