Multi-Level Speicherzelle
EP1476876
Art B1
4. April 2007
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1476876
- Aktenzeichen
- EP03708950
- Anmeldetag
- 5. Februar 2003
- Veröffentlichung
- 4. April 2007
- Erteilung
- 4. April 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/34G11C11/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Collins, John David
London, Großbritannien
1.014
Patente gesamt
31
Fachgebiete
17
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Round, Edward Mark
NoneLondon