Verfahren zur Herstellung eines Hochspannungs-Leistungs-Mosfets mit einer Spannungsaufrechterhaltungsregion mit Dotierten Kolumnen, die durch Grabenätzung und Diffusion aus Regionen aus Entgegengesetzt Dotiertem Polysilizium Ausgebildet Sind

EP1476894 Art B1 22. Juni 2016

Anmelder: GENERAL SEMICONDUCTOR, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1476894
Aktenzeichen
EP02794456
Anmeldetag
30. Dezember 2002
Veröffentlichung
22. Juni 2016
Erteilung
22. Juni 2016
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/336H01L29/78H01L29/06// H01L29/739H01L21/225H01L29/10
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
GENERAL SEMICONDUCTOR, Inc.
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Jungblut, Bernhard Jakob Berlin, Deutschland
438
Patente gesamt
29
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Medizintechnik & Gesundheit Pharma & Biotechnologie Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Organische Chemie Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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