Hochspannungs-Leistungs-Mosfet mit Niedrigem Einschaltwiderstand

EP1476895 Art B1 12. Juli 2017

Anmelder: GENERAL SEMICONDUCTOR, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1476895
Aktenzeichen
EP03716108
Anmeldetag
20. Februar 2003
Veröffentlichung
12. Juli 2017
Erteilung
12. Juli 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/336H01L29/78H01L29/06
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
GENERAL SEMICONDUCTOR, Inc.
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Jungblut, Bernhard Jakob Berlin, Deutschland
438
Patente gesamt
29
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Medizintechnik & Gesundheit Pharma & Biotechnologie Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Organische Chemie Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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