Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus Silizium Karbid oder aus einer Gruppe Iii-Nitrid auf ein Angepasstes Substrat
EP1476898
Art B1
28. Dezember 2005
Anmelder: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1476898
- Aktenzeichen
- EP03718870
- Anmeldetag
- 13. Februar 2003
- Veröffentlichung
- 28. Dezember 2005
- Erteilung
- 28. Dezember 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20C30B25/18C30B29/36C30B29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
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Vertreten von
de Beaumont, Michel
Grenoble, Frankreich
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