Verfahren zur Herstellung einer Oxidschicht auf einer Gaas-Basierenden Halbleiterstruktur
EP1476900
Art B1
24. Januar 2007
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1476900
- Aktenzeichen
- EP02794296
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 24. Januar 2007
- Erteilung
- 24. Januar 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/316C23C14/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
24
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte