Hochfrequenzhalbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung
EP1479110
Art A1
24. November 2004
Anmelder: Freescale Semiconductor Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1479110
- Aktenzeichen
- EP03743687
- Anmeldetag
- 19. Februar 2003
- Veröffentlichung
- 24. November 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/423H01L29/417H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
677
Patente gesamt
24
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Wray, Antony John
NoneBasingstoke