Selbstjustiertes Verfahren zur Herstellung eines Doppel-Gate Mosfet

EP1481425 Art B1 23. Juli 2008

Anmelder: Forschungszentrum Jülich GmbH, FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1481425
Aktenzeichen: EP03709631
Anmeldetag: 25. Februar 2003
Veröffentlichung: 23. Juli 2008
Erteilung: 23. Juli 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Forschungszentrum Jülich GmbH
FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Forschungszentrum Jülich

Deutsche Großforschungseinrichtung der Helmholtz-Gemeinschaft mit Sitz in Jülich, gegründet 1956. Forschungsschwerpunkte sind Energie, Information und Gehirnforschung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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