Verfahren zur photolithographischen Herstellung schmaler Transistor-Gate-Elemente
EP1482541
Art B1
29. Dezember 2010
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1482541
- Aktenzeichen
- EP03101571
- Anmeldetag
- 29. Mai 2003
- Veröffentlichung
- 29. Dezember 2010
- Erteilung
- 29. Dezember 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/033H01L21/28H01L21/311H01L21/3213
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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