Methode zur Herstelliung eines Hetero-Bipolartransistors mit einer Metall-Basis-Mikrobrücke
EP1482542
Art A1
1. Dezember 2004
Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation, Northrop Grumman Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1482542
- Aktenzeichen
- EP03256974
- Anmeldetag
- 4. November 2003
- Veröffentlichung
- 1. Dezember 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Northrop Grumman Systems Corporation
Northrop Grumman Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Northrop Grumman
US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.
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Naismith, Robert Stewart
Glasgow, Großbritannien
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