Herstellungsverfahren von Dünnfilmschichten durch Gleichzeitiges Dotieren und Sintern
EP1483784
Art A2
8. Dezember 2004
Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1483784
- Aktenzeichen
- EP03716342
- Anmeldetag
- 6. März 2003
- Veröffentlichung
- 8. Dezember 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/314H01L21/285H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Varian Semiconductor Equipment Associates Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.
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Beck, Simon Antony
London, Großbritannien
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