Halbleiterbauelement mit einer Drahtanschlussfläche und Herstellungsverfahren dafür
EP1483789
Art B1
16. November 2016
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor Inc. (A Delaware Corp) 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1483789
- Aktenzeichen
- EP03714137
- Anmeldetag
- 12. März 2003
- Veröffentlichung
- 16. November 2016
- Erteilung
- 16. November 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/60H01L23/485
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor Inc. (A Delaware Corp) - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
24
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Freescale law department - EMEA patent ops
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse