Selbstjustierter Nanoröhren-Feld-Effekt-Transistor und Verfahren zu Seiner Herstellung

EP1485958 Art B1 28. März 2012

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1485958
Aktenzeichen
EP03721349
Anmeldetag
19. Februar 2003
Veröffentlichung
28. März 2012
Erteilung
28. März 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L51/05B82Y10/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
International Business Machines Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

9.753 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen