Verfahren zur Herstellung einer Referenzschicht und mit einer Derartigen Referenzschicht Versehene Mram-Speicherzelle

EP1488426 Art B1 26. Oktober 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1488426
Aktenzeichen: EP03724832
Anmeldetag: 11. März 2003
Veröffentlichung: 26. Oktober 2005
Erteilung: 26. Oktober 2005
Rechtsraum: EP
IPC: G11C11/16H01F41/30H01F41/32H01F10/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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