Verfahren zur Herstellung von Drähten und Lücken auf Nanoskala für Schalter und Transistoren
EP1488452
Art B1
30. Mai 2012
Anmelder: Hewlett-Packard Development Company, L.P., Hewlett-Packard Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1488452
- Aktenzeichen
- EP03716500
- Anmeldetag
- 13. März 2003
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2012
- Erteilung
- 30. Mai 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/335H01L29/775G11C13/00H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Hewlett-Packard Development Company, L.P.
Hewlett-Packard Company - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Hewlett-Packard
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Palo Alto, Kalifornien. Aktiv in Computerhardware, Druckern, Speicherlösungen sowie Unternehmens-IT und Cloud-Infrastruktur.
20.229 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Schoppe, Fritz
Pullach, Deutschland
2.765
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23
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Schoppe, Fritz, Dipl.-Ing
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