Halbleiteraufbau mit Schaltelement und Randelement
EP1488465
Art B1
29. April 2015
Anmelder: Infineon Technologies AG, SiCED Electronics Development GmbH & Co KG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1488465
- Aktenzeichen
- EP03711840
- Anmeldetag
- 12. März 2003
- Veröffentlichung
- 29. April 2015
- Erteilung
- 29. April 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/808H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
SiCED Electronics Development GmbH & Co KG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Bickel, Michael
München, Deutschland
159
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6
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Weitere Vertreter
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Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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Maier, Daniel Oliver
Siemens AG · München
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Berg, Peter, Dipl.-Ing
NoneMünchen