Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsträgerplatte und Material zur Herstellung einer Schaltungsträgerplatte
EP1490875
Art A1
29. Dezember 2004
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1490875
- Aktenzeichen
- EP03711647
- Anmeldetag
- 19. März 2003
- Veröffentlichung
- 29. Dezember 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/00G11C8/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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