Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsträgerplatte und Material zur Herstellung einer Schaltungsträgerplatte

EP1490875 Art A1 29. Dezember 2004

Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1490875
Aktenzeichen
EP03711647
Anmeldetag
19. März 2003
Veröffentlichung
29. Dezember 2004
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/00G11C8/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen