Leistungsmodul mit Zwei Substraten und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP1490908
Art B1
6. Juni 2007
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1490908
- Aktenzeichen
- EP03724855
- Anmeldetag
- 1. April 2003
- Veröffentlichung
- 6. Juni 2007
- Erteilung
- 6. Juni 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/16H01L23/433H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Schäfer, Horst
München, Deutschland
141
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8
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