Siliciumnitrid-Verschleissschutzelement und Herstellungsverfahren dafür
EP1491518
Art B1
12. August 2009
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1491518
- Aktenzeichen
- EP03715733
- Anmeldetag
- 2. April 2003
- Veröffentlichung
- 12. August 2009
- Erteilung
- 12. August 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C04B35/58
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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