Verfahren zur Herstellung einer Hochdruckentladungslampe

EP1492148 Art B1 16. Februar 2011

Anmelder: Ushio Inc., Ushio Incorporated, NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1492148
Aktenzeichen: EP04090218
Anmeldetag: 5. Juni 2004
Veröffentlichung: 16. Februar 2011
Erteilung: 16. Februar 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01J9/36H01J61/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Ushio Inc.
Ushio Incorporated
NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Ushio Inc.

Japanischer Hersteller von Lichtquellen wie Speziallampen, Lasern und LED-Modulen für Industrie, Halbleiterfertigung und Optik mit Sitz in Tokio.

829 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

27.380 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von