GaN-Substrat und dessen Herstelungsverfahren, nitrid-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren

EP1492158 Art A3 11. November 2009

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1492158
Aktenzeichen: EP04014870
Anmeldetag: 24. Juni 2004
Veröffentlichung: 11. November 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20C30B29/38H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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