Prozess zur Herstellung Luftlückenhaltiger Halbleitender Bauelemente und Resultierendes Halbleiterbauelement

EP1493183 Art B1 5. Dezember 2012

Anmelder: Dow Global Technologies LLC, DOW GLOBAL TECHNOLOGIES INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1493183
Aktenzeichen
EP03728320
Anmeldetag
1. April 2003
Veröffentlichung
5. Dezember 2012
Erteilung
5. Dezember 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/768H01L23/482
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Dow Global Technologies LLC
DOW GLOBAL TECHNOLOGIES INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Dow Global Technologies

US-amerikanisches Tochterunternehmen des Chemiekonzerns Dow, das geistiges Eigentum verwaltet und Patente aus Forschung zu Kunststoffen, Chemikalien und Materialwissenschaften der Dow-Gruppe hält.

6.384 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen