Verfahren zum Herstellen einer Integrierten Schaltung und Integrierte Schaltung mit einem Bipolartransistor und einem Heterobipolartransistor
EP1493184
Art B1
14. Dezember 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1493184
- Aktenzeichen
- EP03735379
- Anmeldetag
- 13. Mai 2003
- Veröffentlichung
- 14. Dezember 2005
- Erteilung
- 14. Dezember 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8222H01L27/082H01L21/8249H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.937 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Schoppe, Fritz
Pullach, Deutschland
2.765
Patente gesamt
31
Fachgebiete
23
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Schoppe, Fritz, Dipl.-Ing
NoneMünchen