Halbleiterbauelement mit Festwertspeicher und dessen Herstellungsverfahren

EP1494276 Art A3 24. Juni 2009

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1494276
Aktenzeichen
EP04000916
Anmeldetag
16. Januar 2004
Veröffentlichung
24. Juni 2009
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8247H01L27/105// H01L21/8246H01L27/112
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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