Verfahren zur Herstellung von Dünnen Schichten durch Thermische Kurzzeitprozesse
EP1495489
Art A2
12. Januar 2005
Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1495489
- Aktenzeichen
- EP03718181
- Anmeldetag
- 3. April 2003
- Veröffentlichung
- 12. Januar 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/314H01L21/316H01L21/324H01L21/3205H01L21/225H01L21/265H01L21/318H01L21/3105H01L21/3115H01L21/8234
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Varian Semiconductor Equipment Associates Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.
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Beck, Simon Antony
London, Großbritannien
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