Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Elektrode für Plasma-Reaktionskammer
EP1497849
Art B1
23. Juni 2010
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1497849
- Aktenzeichen
- EP03716753
- Anmeldetag
- 21. März 2003
- Veröffentlichung
- 23. Juni 2010
- Erteilung
- 23. Juni 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00C23C16/44H01J37/32H01L21/30H01L21/316H01L21/306H01J1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
2.726 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Diehl, Hermann O. Th
München, Deutschland
81
Patente gesamt
23
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Diehl, Hermann, Dr. Dipl.-Phys
NoneMünchen