Verfahren zur Herstellung eines Soi-Substrates mit einem Trägersubstrat mit Hohem Widerstand
EP1497854
Art B1
7. August 2019
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1497854
- Aktenzeichen
- EP03727798
- Anmeldetag
- 23. April 2003
- Veröffentlichung
- 7. August 2019
- Erteilung
- 7. August 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes