Verfahren zur Manipulation von Halbleiterschichten zum Dünnmachen Derselben

EP1497857 Art B1 19. Mai 2010

Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1497857
Aktenzeichen
EP03727614
Anmeldetag
26. März 2003
Veröffentlichung
19. Mai 2010
Erteilung
19. Mai 2010
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/58H01L21/68H01L21/762H01L21/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.929 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen