Halbleiterbauelement mit Integrierter Kapazitätsstruktur und Verfahren zu Dessenherstellung
EP1497861
Art B1
16. Mai 2007
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1497861
- Aktenzeichen
- EP03724840
- Anmeldetag
- 24. März 2003
- Veröffentlichung
- 16. Mai 2007
- Erteilung
- 16. Mai 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/522
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.937 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Graf Lambsdorff, Matthias
München, Deutschland
161
Patente gesamt
21
Fachgebiete
9
Anmelder-Länder
Schwerpunkte