Halbleiterbauelement mit Integrierter, eine Mehrzahl an Metallisierungsebenen Aufweisender Kapazitätsstruktur
EP1497869
Art B1
14. März 2012
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1497869
- Aktenzeichen
- EP03724870
- Anmeldetag
- 17. April 2003
- Veröffentlichung
- 14. März 2012
- Erteilung
- 14. März 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/92H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Graf Lambsdorff, Matthias
München, Deutschland
157
Patente gesamt
21
Fachgebiete
9
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Graf Lambsdorff, Matthias, Dr
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