Verfahren zur Ausbildung einer Silizium-Epitaxialschicht

EP1498938 Art B1 9. Juli 2008

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1498938
Aktenzeichen
EP03717542
Anmeldetag
9. April 2003
Veröffentlichung
9. Juli 2008
Erteilung
9. Juli 2008
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/205
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
TOKYO ELECTRON LIMITED
Land
🇯🇵 Japan

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Gleiss, Alf-Olav Stuttgart, Deutschland
418
Patente gesamt
30
Fachgebiete
14
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Medizintechnik & Gesundheit Energie- & Antriebstechnik (Kraftmaschinen) Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Maschinenelemente & Fluidtechnik Verpackungs- & Fördertechnik
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