Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement mit mehrfachem Gate
EP1498958
Art B1
15. Oktober 2014
Anmelder: IMEC, Interuniversitaire Microelectronica Centrum vzw ( IMEC) 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1498958
- Aktenzeichen
- EP04447178
- Anmeldetag
- 16. Juli 2004
- Veröffentlichung
- 15. Oktober 2014
- Erteilung
- 15. Oktober 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L29/10H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC
Interuniversitaire Microelectronica Centrum vzw ( IMEC) - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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Vertreten von
Van Malderen, Joëlle
Liège, Belgien
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