Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement mit mehrfachem Gate

EP1498958 Art B1 15. Oktober 2014

Anmelder: IMEC, Interuniversitaire Microelectronica Centrum vzw ( IMEC) 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1498958
Aktenzeichen
EP04447178
Anmeldetag
16. Juli 2004
Veröffentlichung
15. Oktober 2014
Erteilung
15. Oktober 2014
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/66H01L29/10H01L29/78
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
IMEC
Interuniversitaire Microelectronica Centrum vzw ( IMEC)
Land
🇧🇪 Belgien
🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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