Verfahren zur Bildung von Mram-Bausteinen
EP1500116
Art B1
30. Mai 2007
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1500116
- Aktenzeichen
- EP03733885
- Anmeldetag
- 21. April 2003
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2007
- Erteilung
- 30. Mai 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01F41/30G11C11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Fox-Male, Nicholas Vincent Humbert
Nottingham, Großbritannien
514
Patente gesamt
31
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte