Substrat zum Züchten von Galliumnitrid, Verfahren zur Herstellung des Substrats zum Züchten von Galliumnitrid und Verfahren zur Herstellung eines Galliumnitridsubstrats
EP1501117
Art B1
28. Juli 2010
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, Ltd 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1501117
- Aktenzeichen
- EP03703039
- Anmeldetag
- 23. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 28. Juli 2010
- Erteilung
- 28. Juli 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205C30B29/38
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, Ltd - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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