Verfahren zur Herstellung von Substrate mit Lösbarem Temporärem Träger und Zugehöriges Substrat

EP1502298 Art A1 2. Februar 2005

Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1502298
Aktenzeichen
EP03747530
Anmeldetag
30. April 2003
Veröffentlichung
2. Februar 2005
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/762H01L33/00H01L31/18
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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