Methode zur Herstellung Versetzter Mram Zellen in einem Doppel-Damaszener Prozess mit Reduzierter Anzahl von Ätzschritten

EP1504456 Art A1 9. Februar 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1504456
Aktenzeichen: EP03722378
Anmeldetag: 1. April 2003
Veröffentlichung: 9. Februar 2005
Rechtsraum: EP
IPC: G11C11/15G11C11/16

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.937 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von