Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit Gateoxidschichten Unterschiedlicher Dicke
EP1504470
Art A1
9. Februar 2005
Anmelder: Globalfoundries Inc., GlobalFoundries, Inc., ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇰🇾
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1504470
- Aktenzeichen
- EP02790146
- Anmeldetag
- 17. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 9. Februar 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Globalfoundries Inc.
GlobalFoundries, Inc.
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇰🇾 KY
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
Vertreten von
Wright, Hugh Ronald
London, Großbritannien
229
Patente gesamt
19
Fachgebiete
8
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Schwerpunkte