Graben-Dmos-Transistorstruktur

EP1504473 Art B1 15. August 2018

Anmelder: General Semiconductor, Inc., GENERAL SEMICONDUCTOR, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1504473
Aktenzeichen
EP03728855
Anmeldetag
13. Mai 2003
Veröffentlichung
15. August 2018
Erteilung
15. August 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/08H01L29/36H01L29/417H01L21/336// H01L29/06
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
General Semiconductor, Inc.
GENERAL SEMICONDUCTOR, Inc.
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Jungblut, Bernhard Jakob Berlin, Deutschland
438
Patente gesamt
29
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Medizintechnik & Gesundheit Pharma & Biotechnologie Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Organische Chemie Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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