Herstellungsverfahren für Solarzelle aus dünnen Siliziumschichten
EP1505174
Art A1
9. Februar 2005
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1505174
- Aktenzeichen
- EP04016125
- Anmeldetag
- 8. Juli 2004
- Veröffentlichung
- 9. Februar 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/515C23C16/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sharp Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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