Verfahren zur Ionenimplantierung Ionen in ein Halbleitersubstrat
EP1507287
Art A3
9. Juli 2008
Anmelder: Masuoka, Fujio, Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1507287
- Aktenzeichen
- EP04254851
- Anmeldetag
- 12. August 2004
- Veröffentlichung
- 9. Juli 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Masuoka, Fujio
Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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Brown, Kenneth Richard
London, Großbritannien
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