Plasmaangeregtes Chemisches Gasphasenabscheide-Verfahren zum Abscheiden von Siliziumnitrid oder Siliziumoxinitrid in einem Mim-Kondensator
EP1507888
Art B1
22. Dezember 2010
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1507888
- Aktenzeichen
- EP03755893
- Anmeldetag
- 14. Mai 2003
- Veröffentlichung
- 22. Dezember 2010
- Erteilung
- 22. Dezember 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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