Verfahren zur Herstellung von Fotomasken für die Strukturierung von Halbleitersubstraten durch Optische Lithografie
EP1508070
Art A2
23. Februar 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1508070
- Aktenzeichen
- EP03735270
- Anmeldetag
- 30. April 2003
- Veröffentlichung
- 23. Februar 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F1/08G03F7/40G03F7/075G03F7/004
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Kottmann, Heinz Dieter
München, Deutschland
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