Hocheffiziente Halbleiter-Lichtquelle sowie Verfahren zu deren Verwendung und Herstellung

EP1508157 Art B1 23. November 2011

Anmelder: Phoseon Technology, Inc., Owen, Mark D., McNeil, Tom, Vlach, François 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1508157
Aktenzeichen
EP03724539
Anmeldetag
8. Mai 2003
Veröffentlichung
23. November 2011
Erteilung
23. November 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/00H01L25/16H01L27/15H01L33/00H01L25/075
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Phoseon Technology, Inc.
Owen, Mark D.
McNeil, Tom
Vlach, François
Land
🇺🇸 USA
Kanzlei
Lorenz Seidler Gossel München, Deutschland

Lorenz Seidler Gossel wurde 1962 gegründet und zählt seit über sechs Jahrzehnten zu Deutschlands führenden IP-Kanzleien, Sitz an der Münchner Widenmayerstraße, beschrieben als „boutique with scale“, besonders renommiert im Marken- und Designrecht.

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