Hochfrequenz-Leistungshalbleitermodul mit Hohlraumgehäuse sowie Verfahren zu dessen Herstellung
EP1508167
Art A2
23. Februar 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1508167
- Aktenzeichen
- EP03740012
- Anmeldetag
- 22. Mai 2003
- Veröffentlichung
- 23. Februar 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/057H01L23/495H01L25/065H01L21/48H01L23/498H01L23/047
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.937 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Schäfer, Horst
München, Deutschland
141
Patente gesamt
23
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte