Dünnschicht-Transistor mit Kurzschluss zwischen Gate und Substrat, zugehöriges Herstellungsverfahren und Anzeigevorrichtung unter dessen Verwendung
EP1508921
Art A3
29. Juni 2005
Anmelder: Samsung SDI Co., Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1508921
- Aktenzeichen
- EP04090312
- Anmeldetag
- 12. August 2004
- Veröffentlichung
- 29. Juni 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Samsung SDI Co., Ltd.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Samsung SDI
Südkoreanisches Unternehmen der Samsung-Gruppe, das Batterien und Energiespeichersysteme für Elektrofahrzeuge, Elektronikgeräte und stationäre Anwendungen entwickelt und produziert.
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Vertreten von
Hengelhaupt, Jürgen
Berlin, Deutschland
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