Herstellungsverfahren für ein Soi Halbleiter-Bauelement mit Selbstjustierten Gesteigerten Dielektrischen Gebieten im Silizium Substrat
EP1509950
Art A2
2. März 2005
Anmelder: Globalfoundries Inc., GlobalFoundries, Inc., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇰🇾
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1509950
- Aktenzeichen
- EP03731586
- Anmeldetag
- 28. Mai 2003
- Veröffentlichung
- 2. März 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/84H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Globalfoundries Inc.
GlobalFoundries, Inc.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇰🇾 KY
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
1.708 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wright, Hugh Ronald
London, Großbritannien
229
Patente gesamt
19
Fachgebiete
8
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Schwerpunkte