Anordnung zur Verringerung der Stromdichte in einem Transistor in einem Ic
EP1509954
Art A1
2. März 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1509954
- Aktenzeichen
- EP03725942
- Anmeldetag
- 7. Mai 2003
- Veröffentlichung
- 2. März 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/417H01L23/482H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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