Verfahren zur Verbesserung des Stickstoff-Profils in Plasma-Nitrierten Gate-Dielektrischen Schichten
EP1512170
Art A2
9. März 2005
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1512170
- Aktenzeichen
- EP03760409
- Anmeldetag
- 12. Juni 2003
- Veröffentlichung
- 9. März 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/324
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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Vertreten von
Bayliss, Geoffrey Cyril
London, Großbritannien
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